硅碳棒的阻抗分析

　　為了更好地使用硅碳棒，就需要對其有一個詳細的了解。其中硅碳棒的抗阻性便是一個比較值得詳細了解的。
　　硅碳棒由于采用高純H:作陽極氣體，陽極極化可以忽略，EIS的變化可以認為全是由陰極雜質氣體的引入帶來的。與頻率無關的總歐姆阻抗是硅碳棒各部分歐姆阻抗之和，包括膜、催化層、氣體擴散層(GDL)、流場、端板的電阻和它們之間的接觸電阻。由圖8可以看到，通入不同濃度雜質氣體之后，與通入純凈空氣的歐姆阻抗幾乎一致，均在16-18mW之間。而通入SOZ后，圖中圓弧的半徑增加的會比較的明顯，說明電化學阻抗的增加主要不是由歐姆阻抗的變化引起的。

 　　這個近似于半圓的弧，是與陰極雙電層充電過程的電容C和電荷傳遞阻抗R相關的?？偟恼f來，當SO:通入以后，它的電化學阻抗增加、性能下降。陰極SOZ氣體會造成催化劑中毒導致硅碳棒性能h降且濃度越大，性能下降明顯。SOZ會在電極上產生吸附，當吸附與脫附速率達到平衡時，電壓下降到一個平臺區。
　　在降溫的時候因為外部接觸爐內氣氛降溫較快、內部降溫較慢，此時外部想要急劇收縮而內部卻收縮的沒那么快，這就也產生了熱應力。硅碳棒硅鉬棒由于是逐漸升溫降溫，并且強度要比玻璃大得多，因此不會像玻璃一樣炸裂，但是也會產生一定影響，比如說表面的二氧化硅保護膜破裂。
　　上文中通過介紹硅碳棒的阻抗，比如解釋了它為什么能夠在高溫條件下工作的原因以及影響它性能的因素等，希望以上的內容可以對大家有所幫助。